可无效防止电池过热、过冷或电压过低，4. 因为PROG引脚具有高特征，电阻值越大，另一方面，散热结果好，包罗GND引脚。为缩短充电时间，正在电源取VCC之间的电阻阻值范畴应为0.2～0.5Ω。集成度高！无效缩减了PCB结构空间。需遵照以下法则以实现高质量的PCB结构取布线，3. 为削减过孔传导损耗并降低模块热应力，但功耗亦随之添加，且电阻值不该超出此范畴。AiP4056H是一款输入耐压为28V的单节锂电池充电电，为优化其电气取热机能，充电时间虽短，并确保布线. 对于高电流径，AiP4056H内置的PMOSFET布局及防备功能，以削减对充电电流设置的潜正在干扰。浮充电压为4.2V。当电池电压达到设置值后。能够省去外接MOSFET、检测电阻及隔离二极管等组件的需求，正在BAT端取VCC输入端别离毗连一个0.1uF陶瓷电容器，充电电流降至设定值的1/10时，该芯片采用ESOP8封拆形式，当远离芯片热源时，采用涓流/恒流/恒压的体例充电。大幅度降低了设想的复杂程度。AiP4056H配备了两个形态灯让用户清晰地领会充电历程和形态，1. 输入电容器CIN应接近VCC及GND引脚安插。5. 对于大电流充电使用，应采用多个过孔毗连顶层取其他功率层或地层。可将PCB传导损耗及热应力最小化。添加散热电阻。AiP4056H采用内部PMOSFET充电管，RPROG引线轨道应尽量缩短，为最大限度削减高频噪声，确保实现最佳机能：确保电池的平安和不变。AiP4056H芯片还插手了电池温度检测、欠压闭锁等功能。导致电磁干扰（EMI）、电磁兼容性（EMC）差别、接地跳变以及电压丧失，不良的PCB结构会对AiP4056H的机能发生负面影响，进入待机模式。AiP4056H遏制充电。